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BVSS123LT1G
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 100V, SOT-23
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBVSS123LT1G
No. Parte Newark14AC3384
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id170
Resistencia de Activación Rds(on)6ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente6
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd225mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.6
Disipación de Potencia225
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
6ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
225mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.6
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
170
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
6
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
225
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BVSS123LT1G
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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