Imprimir página
BVSS84LT1G
MOSFET de Potencia, Canal P, 50 V, 130 mA, 4.7 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
Opciones de embalaje
27,280 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.053 |
| 50+ | $0.053 |
| 100+ | $0.053 |
| 250+ | $0.053 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.05
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBVSS84LT1G
No. Parte Newark50AC4853
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds50
Intensidad Drenador Continua Id130
Resistencia de Activación Rds(on)4.7ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4.7
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd225mW
Voltaje de Prueba Rds(on)5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia225
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Alternativas para el número de pieza BVSS84LT1G
3 productos encontrados
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
50
Resistencia de Activación Rds(on)
4.7ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
225mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
130
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4.7
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
5
Disipación de Potencia
225
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto