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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteCPH6350-TL-W
No. Parte Newark14AC3586
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id-6
Resistencia de Activación Rds(on)0.033ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.043ohm
Diseño de TransistorSOT-26
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)-10
Disipación de Potencia Pd1.6W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente-
Disipación de Potencia1.6
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.033ohm
Diseño de Transistor
SOT-26
Voltaje de Prueba Rds(on)
-10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
-6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.043ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
1.6W
Disipación de Potencia
1.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto