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FCA22N60N
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 22 A, 0.14 ohm, TO-3PN, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFCA22N60N
No. Parte Newark64R2976
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id22
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.14
Resistencia de Activación Rds(on)0.14ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd205W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorTO-3PN
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia205
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.14
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
22
Resistencia de Activación Rds(on)
0.14ohm
Disipación de Potencia Pd
205W
Diseño de Transistor
TO-3PN
Disipación de Potencia
205
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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