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FCD5N60TM

Name: ONSEMI FCD5N60TM
Brand: ONSEMI
SKU: 34M6098
Availability: InStock

MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 4.6 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial

Fecha y lote

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FabricanteONSEMI

No. Parte FabricanteFCD5N60TM

No. Parte Newark34M6098

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Información del producto

FabricanteONSEMI

No. Parte FabricanteFCD5N60TM

No. Parte Newark34M6098

Hoja de datos técnicos

Data Sheet

Tipo de CanalN Channel

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V

Intensidad Drenador Continua Id4.6A

Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.95ohm

Resistencia de Activación Rds(on)0.95ohm

Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)

Montaje de TransistorSurface Mount

Disipación de Potencia Pd54W

Voltaje de Prueba Rds(on)10V

Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V

Disipación de Potencia54W

No. de Pines3Pines

Temperatura de Trabajo Máx.150°C

Rango de Producto-

Calificación-

Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited

Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)

Resumen del producto

El FCD5N60TM es un MOSFET de super-unión de alto voltaje SuperFET® de canal N que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una excelente resistencia a la ENCENDIDO baja y un rendimiento de carga de puerta más bajo. Esta tecnología está diseñada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior, tasa de dV/dt y una mayor energía de avalancha. En consecuencia, el MOSFET SuperFET es muy adecuado para las aplicaciones de alimentación conmutada como PFC, alimentación de servidor/telecomunicaciones, alimentación de TV FPD, alimentación ATX y aplicaciones de alimentación industrial.

Carga de puerta ultra baja (Qg = 16nC)
Baja capacitancia de salida efectiva (Coss.eff = 32pF)
Probado avalancha 100%

Especificaciones técnicas

Tipo de Canal

N Channel

Intensidad Drenador Continua Id

4.6A

Resistencia de Activación Rds(on)

0.95ohm

Montaje de Transistor

Surface Mount

Voltaje de Prueba Rds(on)

10V

Disipación de Potencia

54W

Temperatura de Trabajo Máx.

150°C

Calificación

Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)

Lead (27-Jun-2024)

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds

650V

Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente

0.95ohm

Diseño de Transistor

TO-252 (DPAK)

Disipación de Potencia Pd

54W

Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente

No. de Pines

3Pines

Rango de Producto

Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

MSL 1 - Unlimited

Documentos técnicos (2)

Product Change Notice EN

Technical Data Sheet EN

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Legislación y medioambiente

US ECCN:EAR99

EU ECCN:Unknown

Conforme a RoHS:Y-Ex

RoHS

Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí

RoHS

Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)

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