FDA59N30
MOSFET de Potencia, Canal N, 300 V, 59 A, 0.047 ohm, TO-3PN, Agujero Pasante
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $6.610 |
| 10+ | $5.700 |
| 25+ | $4.620 |
| 50+ | $3.550 |
| 100+ | $3.450 |
| 250+ | $3.340 |
Información del producto
Resumen del producto
El FDA59N30 es un MOSFET UniFET™ de canal N de 300 V basado en tecnología de banda plana y DMOS. Este MOSFET de alto voltaje está diseñado para reducir la resistencia en estado activo y para proporcionar un mejor rendimiento de conmutación y una mayor potencia energética de avalancha. El rendimiento de recuperación inversa del diodo del cuerpo de UniFET FRFET® MOSFET ha sido mejorado por el control de por vida. Su trr es inferior a 100ns y la inmunidad inversa dv/dt es de 15V/ns, mientras que los MOSFET planos normales tienen más de 200ns y 4.5V/ns respectivamente. Por lo tanto, puede eliminar componentes adicionales y mejorar la confiabilidad del sistema en ciertas aplicaciones en las que el rendimiento del diodo del cuerpo del MOSFET es significativo. Esta familia de dispositivos es adecuada para cambiar aplicaciones de convertidor de potencia, como corrección de factor de potencia (PFC), alimentación de TV de pantalla plana (FPD), ATX y balastos electrónicos para lámparas. Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.
- Baja carga de compuerta
- 100% prueba de avalancha
Especificaciones técnicas
Canal N
300V
0.047ohm
TO-3P
500W
5V
3Pines
-
-
N Channel
59A
0.047ohm
Through Hole
10V
500W
150°C
-
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
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Certificado de conformidad del producto