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FDB15N50
MOSFET de Potencia, Canal N, 500 V, 15 A, 0.33 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDB15N50
No. Parte Newark83H9055
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500
Intensidad Drenador Continua Id15
Resistencia de Activación Rds(on)0.33ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.33
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd300W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.4
Disipación de Potencia300
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500
Resistencia de Activación Rds(on)
0.33ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd
300W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
15
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.33
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
300
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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