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FDC5614P
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC5614P
No. Parte Newark34C0107
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.010 |
| 25+ | $0.697 |
| 50+ | $0.592 |
| 100+ | $0.487 |
| 250+ | $0.441 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.315 |
| 6000+ | $0.305 |
| 12000+ | $0.295 |
| 18000+ | $0.284 |
| 30000+ | $0.276 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC5614P
No. Parte Newark34C0107
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.105
Resistencia de Activación Rds(on)0.082ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd1.6W
Diseño de TransistorSuperSOT
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.6
Disipación de Potencia1.6
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDC5614P es un MOSFET PowerTrench® de nivel lógico de canal P de -60V que utiliza un proceso PowerTrench de alto voltaje. Ha sido optimizado para aplicaciones de administración de energía. Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.
- Alta velocidad de conmutación
- Tecnología de trinchera de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (encendido)
- Voltaje de fuente de puerta de ±20V (VGSS)
- Resistencia térmica 78°C/W, unión a ambiente
- Resistencia térmica de 30°C/W, unión a carcasa
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.105
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
1.6W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.6
No. de Pines
6Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
3
Resistencia de Activación Rds(on)
0.082ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia
1.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDC5614P
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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