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FDC6301N..
MOSFET Dual, Canal N, 25 V, 220 mA, 5 ohm
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.494 |
| 10+ | $0.396 |
| 25+ | $0.347 |
| 50+ | $0.300 |
| 100+ | $0.252 |
| 250+ | $0.222 |
| 500+ | $0.192 |
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Mínimo: 5
Múltiple: 5
$2.47
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC6301N..
No. Parte Newark47T5014
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N25V
Intensidad Drenador Continua Id220mA
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds25V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N220mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente5ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSuperSOT
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N900mW
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El FDC6301N es un FET de modo de mejora de nivel lógico de canal N dual con alta densidad celular y tecnología DMOS. Su proceso de muy alta densidad está especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado ON. Ha sido diseñado especialmente para aplicaciones de bajo voltaje como reemplazo de transistores digitales. Dado que no se requieren resistencias de polarización, estos FET de canal N pueden reemplazar varios transistores digitales, con una variedad de resistencias de polarización.
- Requisitos de unidad de compuerta de muy bajo nivel que permiten la operación directa en circuitos de 3V
- Compuerta-fuente Zener para robustez ESD
- Voltaje de puerta a fuente -0.5 a 8V
- Corriente continua de drenaje/salida 0.22A
- Corriente de salida/drenaje pulsada de 0.5A
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
220mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
25V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
25V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
220mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
5ohm
Diseño de Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia de Canal N
900mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDC6301N..
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto