Imprimir página
FDC6312P
MOSFET Dual, Canal P, 20 V, 2.3 A
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 13 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.318 |
| 6000+ | $0.310 |
| 12000+ | $0.295 |
| 18000+ | $0.295 |
| 30000+ | $0.294 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$954.00
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC6312P
No. Parte Newark67R2031
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Intensidad Drenador Continua Id2.3A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N-
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P2.3A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.115ohm
Diseño de TransistorSuperSOT
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N-
Disipación de Potencia de Canal P960mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El FDC6312P es un MOSFET de doble canal P producido utilizando el avanzado proceso PowerTrench®. Ha sido especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado ENCENDIDO y, a la vez, mantener una carga baja en la puerta para un rendimiento de conmutación superior.
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Huella pequeña
- Perfil bajo
- Voltaje de compuerta a fuente de ±8V
- Corriente continua de drenaje/salida -2.3A
- Corriente de salida/drenaje pulsada de 7A
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
2.3A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.115ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
960mW
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
2.3A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
-
Diseño de Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia de Canal N
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDC6312P
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto