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                      FDC6561AN

                      MOSFET Dual, Canal N, 30 V, 2.5 A, 0.082 ohm

                      Fecha y lote

                      ONSEMI FDC6561AN
                      La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
                      FabricanteONSEMI
                      No. Parte FabricanteFDC6561AN
                      No. Parte Newark58K8828
                      Hoja de datos técnicos

                      Data Sheet

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                      768 En Stock

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                      25+$0.570
                      50+$0.493
                      100+$0.417
                      250+$0.401
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                      1000+$0.300
                      Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
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                      Múltiple: 1
                      $0.95
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                      Información del producto

                      FabricanteONSEMI
                      No. Parte FabricanteFDC6561AN
                      No. Parte Newark58K8828
                      Hoja de datos técnicos

                      Data Sheet

                      Tipo de CanalCanal N
                      Intensidad Drenador Continua Id2.5A
                      Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
                      Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
                      Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
                      Corriente de Drenaje Continua Id Canal N2.5A
                      Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
                      Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.082ohm
                      Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
                      Diseño de TransistorSuperSOT
                      No. de Pines6Pines
                      Disipación de Potencia de Canal N960mW
                      Disipación de Potencia de Canal P-
                      Temperatura de Trabajo Máx.150°C
                      Rango de Producto-
                      Calificación-
                      Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
                      Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)

                      Resumen del producto

                      El FDC6561AN es un MOSFET de nivel lógico de doble canal N producido mediante el proceso avanzado PowerTrench®. Se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado ENCENDIDO y, a la vez, mantener una carga baja en la puerta para un rendimiento de conmutación superior. Es muy adecuado para todas las aplicaciones en las que se desea un tamaño pequeño, pero especialmente para la conversión de CD a CD en sistemas alimentados por baterías.

                      • Baja carga de compuerta
                      • Conmutación muy rápida
                      • Huella pequeña
                      • Perfil bajo

                      Especificaciones técnicas

                      Tipo de Canal

                      Canal N

                      Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N

                      30V

                      Voltaje de Drenaje-Fuente Vds

                      30V

                      Corriente de Drenaje Continua Id Canal P

                      -

                      Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente

                      -

                      No. de Pines

                      6Pines

                      Disipación de Potencia de Canal P

                      -

                      Rango de Producto

                      -

                      Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

                      MSL 1 - Unlimited

                      Intensidad Drenador Continua Id

                      2.5A

                      Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P

                      -

                      Corriente de Drenaje Continua Id Canal N

                      2.5A

                      Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente

                      0.082ohm

                      Diseño de Transistor

                      SuperSOT

                      Disipación de Potencia de Canal N

                      960mW

                      Temperatura de Trabajo Máx.

                      150°C

                      Calificación

                      -

                      Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)

                      No SVHC (27-Jun-2024)

                      Documentos técnicos (2)

                      Product Change Notice EN

                      Technical Data Sheet EN

                      Alternativas para el número de pieza FDC6561AN

                      1 producto (s) encontrado (s)

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                      Legislación y medioambiente

                      US ECCN:EAR99
                      EU ECCN:Unknown
                      Conforme a RoHS:Sí

                      RoHS

                      Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí

                      RoHS

                      Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
                      Descargue el certificado de cumplimiento del producto

                      Certificado de conformidad del producto

                      Trazabilidad del producto

                      Fecha y lote

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