Imprimir página
FDD3670
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
Opciones de embalaje
1,758 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.070 |
| 10+ | $1.660 |
| 25+ | $1.430 |
| 50+ | $1.200 |
| 100+ | $1.010 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$10.35
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD3670
No. Parte Newark31Y1354
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id34
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.032ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.022ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd83W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia83
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El FDD3670 es un MOSFET de canal N producido mediante el proceso PowerTrench®. Se ha diseñado específicamente para mejorar la eficiencia general de los convertidores de CD a CD mediante el uso de controladores PWM de conmutación síncrona o convencional. Cuenta con una conmutación más rápida y una carga de puerta más baja que otros MOSFET con especificaciones RDS (ON) comparables. El resultado es un MOSFET que es fácil y más seguro de conducir (incluso a frecuencias muy altas) y diseños de fuente de alimentación de CD a CD con mayor eficiencia general.
- Alta velocidad de conmutación
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente
- Carga de puerta baja típica de 57nC
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.032ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
83W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
34
Resistencia de Activación Rds(on)
0.022ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
83
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza FDD3670
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto