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FDD3670
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD3670
No. Parte Newark31Y1354
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id34
Resistencia de Activación Rds(on)0.022ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.032ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd83W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia83
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El FDD3670 es un MOSFET de canal N producido mediante el proceso PowerTrench®. Se ha diseñado específicamente para mejorar la eficiencia general de los convertidores de CD a CD mediante el uso de controladores PWM de conmutación síncrona o convencional. Cuenta con una conmutación más rápida y una carga de puerta más baja que otros MOSFET con especificaciones RDS (ON) comparables. El resultado es un MOSFET que es fácil y más seguro de conducir (incluso a frecuencias muy altas) y diseños de fuente de alimentación de CD a CD con mayor eficiencia general.
- Alta velocidad de conmutación
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente
- Carga de puerta baja típica de 57nC
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.022ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
34
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.032ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
83W
Disipación de Potencia
83
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza FDD3670
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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