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FDD4685
MOSFET, P-CH, 40V, 32A, TO-252
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD4685
No. Parte Newark61M6222
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id32
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.027
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.6
Disipación de Potencia69
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.027
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.6
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
32
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
69
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDD4685
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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