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FDD6685
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 40 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD6685
No. Parte Newark60J0586
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.02
Resistencia de Activación Rds(on)0.014ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd52W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.8
Disipación de Potencia52
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El FDD6685 es un MOSFET de canal P es una versión de compuerta robusta del proceso avanzado PowerTrench®, velocidad de conmutación rápida y tecnología de zanjas de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ENCENDIDO).
- Conmutación rápida
- Voltaje de compuerta a fuente de ±20V
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente.
- Calificado AEC-Q101
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.02
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
52W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.8
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
40
Resistencia de Activación Rds(on)
0.014ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
52
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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