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FDG6322C
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDG6322C
No. Parte Newark58K1454
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal complementario N y P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N25
Intensidad Drenador Continua Id220mA
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds25V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P25
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N220
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P220
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente2.6
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente2.6
Diseño de TransistorSC-70
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N300
Disipación de Potencia de Canal P300
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (10-Jun-2022)
Resumen del producto
El FDG6322C es un MOSFET de modo de mejora de nivel lógico de canal N/P dual con alta densidad celular y tecnología DMOS. Este proceso de muy alta densidad está especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado ON. Este dispositivo ha sido diseñado especialmente para aplicaciones de baja tensión como reemplazo de transistores digitales bipolares y MOSFET de pequeña señal. Dado que no se requieren resistencias de polarización, este FET digital dual puede reemplazar varios transistores digitales diferentes, con diferentes valores de resistencia de polarización.
- Esquema de paquete muy pequeño
- Requisitos de accionamiento de compuerta de muy bajo nivel que permiten la operación directa en circuitos de 3V (VGS (th) <lt/>lt /<gt/> 1.5V)
- Compuerta-fuente Zener para robustez ESD
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal complementario N y P
Intensidad Drenador Continua Id
220mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
25
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
220
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
2.6
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
300
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
25
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
25V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
220
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
2.6
Diseño de Transistor
SC-70
Disipación de Potencia de Canal N
300
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (10-Jun-2022)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza FDG6322C
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (10-Jun-2022)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto