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FDH038AN08A1
MOSFET de Potencia, Canal N, 75 V, 80 A, 0.0038 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDH038AN08A1
No. Parte Newark84H4564
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds75
Intensidad Drenador Continua Id80
Resistencia de Activación Rds(on)0.0038ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0038
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd450W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorTO-247
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia450
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
75
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0038ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0038
Disipación de Potencia Pd
450W
Diseño de Transistor
TO-247
Disipación de Potencia
450
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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