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FDMA410NZ
MOSFET, N-CH, 20V, 9.5A, MICROFET-6
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMA410NZ
No. Parte Newark46AC0775
Rango de ProductoPowerTrench
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 1+ | $1.010 |
| 10+ | $0.514 |
| 25+ | $0.482 |
| 50+ | $0.455 |
| 100+ | $0.432 |
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| 500+ | $0.430 |
| 1000+ | $0.428 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMA410NZ
No. Parte Newark46AC0775
Rango de ProductoPowerTrench
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id9.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.023ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorMicroFET
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente700mV
Disipación de Potencia2.4W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoPowerTrench
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.023ohm
Diseño de Transistor
MicroFET
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
700mV
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
PowerTrench
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
9.5A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
2.4W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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