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FDMC86102
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 20 A, 0.0194 ohm, Power 33, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 10+ | $1.850 |
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| 50+ | $1.550 |
| 100+ | $1.400 |
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| 1000+ | $1.110 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMC86102
No. Parte Newark88T3278
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id20A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0194ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.0194ohm
Diseño de TransistorPower 33
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd41W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.1V
Disipación de Potencia41W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
20A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0194ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
41W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0194ohm
Diseño de Transistor
Power 33
Disipación de Potencia Pd
41W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.1V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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