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FDMC86261P
MOSFET, P-CH, -9A, -150V, WDFN
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMC86261P
No. Parte Newark07AH3919
Rango de ProductoPowerTrench
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.330 |
| 10+ | $1.620 |
| 25+ | $1.590 |
| 50+ | $1.390 |
| 100+ | $1.190 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMC86261P
No. Parte Newark07AH3919
Rango de ProductoPowerTrench
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150V
Intensidad Drenador Continua Id9A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.13ohm
Diseño de TransistorWDFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia40W
Disipación de Potencia Pd0
Núm. de Contactos8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoPowerTrench
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
WDFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
40W
Núm. de Contactos
8Pines
Rango de Producto
PowerTrench
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
9A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.13ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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