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FDMT800120DC
MOSFET, N-CH, 120V, 128A, PQFN
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMT800120DC
No. Parte Newark07AH3936
Rango de ProductoPowerTrench
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $6.190 |
| 10+ | $4.930 |
| 25+ | $4.750 |
| 50+ | $4.580 |
| 100+ | $4.400 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMT800120DC
No. Parte Newark07AH3936
Rango de ProductoPowerTrench
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds120V
Intensidad Drenador Continua Id128A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.00345ohm
Diseño de TransistorPQFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.1V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia156W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoPowerTrench
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
120V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
PQFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
PowerTrench
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
128A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.00345ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.1V
Disipación de Potencia
156W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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