Imprimir página
FDN308P
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 1.5 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 17 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.184 |
| 6000+ | $0.169 |
| 12000+ | $0.165 |
| 18000+ | $0.162 |
| 30000+ | $0.153 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$552.00
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDN308P
No. Parte Newark82C2522
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id1.5A
Resistencia de Activación Rds(on)0.125ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.125ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Disipación de Potencia Pd500mW
Diseño de TransistorSuperSOT
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia500mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El FDN308P es un MOSFET de canal P especificado de 2.5V que utiliza una versión de puerta resistente del proceso avanzado PowerTrench®. Ha sido optimizado para aplicaciones de administración de energía e interruptores de carga con una amplia gama de voltaje de accionamiento de compuerta (2.5 a 12 V). El SuperSOT ™ -3 proporciona un bajo RDS (ON) y una capacidad de manejo de potencia 30% mayor que SOT23 en el mismo espacio.
- Alta velocidad de conmutación
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.125ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
500mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
1.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.125ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Diseño de Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia
500mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDN308P
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto