FDN339AN

El FDN339AN es un MOSFET PowerTrench® especificado de 2.5V y canal N de 20V que se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado activo y para mantener una carga baja en la puerta para un rendimiento de conmutación superior. El último MOSFET de potencia de media tensión son interruptores de potencia optimizados que combinan carga de puerta pequeña (QG), carga de recuperación inversa pequeña (Qrr) y diodo de cuerpo de recuperación inversa suave, que contribuye a una conmutación rápida para la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de CA/CD. Emplea una estructura de puerta blindada que proporciona equilibrio de carga. Al utilizar esta tecnología avanzada, el FOM (figura de mérito (QGxRDS (ON))) de estos dispositivos es 66% más bajo que el de la generación anterior. El rendimiento del diodo del cuerpo blando del nuevo MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito de amortiguamiento o reemplazar el voltaje más alto. El MOSFET necesita un circuito porque puede minimizar los picos de voltaje indeseables en la rectificación síncrona. Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.

• Baja carga de compuerta
• Tecnología de trinchera de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (encendido)
• Alta potencia y capacidad de manejo de corriente