Imprimir página
FDN352AP
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 12 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.138 |
| 6000+ | $0.135 |
| 12000+ | $0.134 |
| 18000+ | $0.133 |
| 30000+ | $0.132 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$414.00
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDN352AP
No. Parte Newark67R2062
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id1.3A
Resistencia de Activación Rds(on)0.18ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.18ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd500mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Diseño de TransistorSuperSOT
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia500mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El FDN352AP es un MOSFET de nivel lógico de canal P producido mediante el proceso avanzado Power Trench® que se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado encendido y, al mismo tiempo, mantener una carga de puerta baja para un rendimiento de conmutación superior. Este dispositivo es muy adecuado para aplicaciones de baja tensión y con batería, donde se necesita una baja pérdida de energía en línea en un paquete de montaje en superficie de contorno muy pequeño.
- Tecnología de trinchera de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (encendido)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.18ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
1.3A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.18ohm
Disipación de Potencia Pd
500mW
Diseño de Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia
500mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDN352AP
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto