FDN358P
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 1.5 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Montaje Superficial
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.159 |
| 6000+ | $0.158 |
| 12000+ | $0.149 |
| 18000+ | $0.147 |
| 30000+ | $0.145 |
Información del producto
Resumen del producto
El FDN358P es un MOSFET de nivel lógico de canal P producido con el proceso avanzado PowerTrench® de Fairchild Semiconductor. Se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado ENCENDIDO y, a la vez, mantener una carga baja en la puerta para un rendimiento de conmutación superior. Viene con una versión de alta potencia del paquete SOT-23 estándar de la industria. Arreglo de pines idéntico al SOT-23 con un 30% más de capacidad de manejo de potencia. Es muy adecuado para conmutación de carga, circuitos de carga de baterías y aplicaciones de conversión de CD a CD.
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- 4nC carga baja típica de la puerta
Especificaciones técnicas
Canal P
30
0.125
Montaje Superficial
10
SuperSOT
3Pines
-
MSL 1 - Unlimited
Canal P
1.5
0.2ohm
500mW
1.9
500
150
-
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDN358P
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Legislación y medioambiente
RoHS
RoHS
Certificado de conformidad del producto