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FDN5618P
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDN5618P
No. Parte Newark58K8844
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id1.25A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.17ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.17ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd500mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Diseño de TransistorSuperSOT
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.6V
Disipación de Potencia500mW
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El FDN5618P es un MOSFET powerTrench de nivel lógico de canal P de 60 V de montaje en superficie en paquete superSOT-23. El proceso PowerTrench se ha diseñado para minimizar la resistencia en el estado y mantener una carga de puerta baja para un rendimiento de conmutación superior. Este dispositivo es ideal para convertidores CD-CD, interruptores de carga y aplicaciones de administración de energía.
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para Rds (ON) extremadamente bajos
- Voltaje drenaje-fuente (Vds) de -60V
- Voltaje de compuerta a fuente de ± 20V
- Corriente continua de drenaje (Id) de -1.25A
- Disipación de potencia (Pd) de 500mW
- Baja resistencia de estado encenddo de 185mohm a Vgs -4.5V
- La temperatura de funcionamiento de unión es desde -55°C hasta 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.17ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.6V
Núm. de Contactos
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
1.25A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.17ohm
Disipación de Potencia Pd
500mW
Diseño de Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia
500mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
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5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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