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FDP036N10A
MOSFET, N-CH, 100V, 120A, 175DEG C, 333W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDP036N10A
No. Parte Newark54AH8664
Rango de ProductoPowerTrench
Hoja de datos técnicos
774 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $7.210 |
| 10+ | $4.790 |
| 25+ | $4.740 |
| 50+ | $4.680 |
| 100+ | $4.630 |
| 250+ | $4.520 |
| 500+ | $4.420 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDP036N10A
No. Parte Newark54AH8664
Rango de ProductoPowerTrench
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id120A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0032ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia333W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoPowerTrench
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
333W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
PowerTrench
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
120A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0032ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
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