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FDP047AN08A0
MOSFET de Potencia, Canal N, 75 V, 80 A, 0.004 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDP047AN08A0
No. Parte Newark28H9692
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds75
Intensidad Drenador Continua Id80
Resistencia de Activación Rds(on)0.004ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.004
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd310W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorTO-220AB
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia310
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El FDP047AN08A0 es un MOSFET de canal N producido mediante el proceso PowerTrench®. Es adecuado para su uso en la rectificación síncrona para PSU ATX/servidor/telecomunicaciones, circuito de protección de batería y fuentes de alimentación ininterrumpida.
- Baja carga de Miller
- Diodo de cuerpo Qrr bajo
- Capacidad UIS (pulso único y pulso repetitivo)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
75
Resistencia de Activación Rds(on)
0.004ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.004
Disipación de Potencia Pd
310W
Diseño de Transistor
TO-220AB
Disipación de Potencia
310
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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