FDP18N50

El FDP18N50 es un MOSFET UniFET™ de canal N de 500V basado en tecnología de banda plana y DMOS. Este MOSFET está diseñado para reducir la resistencia en el estado y para proporcionar un mejor rendimiento de conmutación y una mayor fuerza de energía de avalancha. El rendimiento de recuperación inversa del diodo del cuerpo de UniFET FRFET® MOSFET ha sido mejorado por el control de por vida. Su trr es inferior a 100ns y la inmunidad inversa dv/dt es de 15V/ns, mientras que los MOSFET planos normales tienen más de 200ns y 4.5V/ns respectivamente. Por lo tanto, puede eliminar componentes adicionales y mejorar la confiabilidad del sistema en ciertas aplicaciones en las que el rendimiento del diodo del cuerpo del MOSFET es significativo. Esta familia de dispositivos es adecuada para cambiar aplicaciones de convertidor de potencia, como corrección de factor de potencia (PFC), alimentación de TV de pantalla plana (FPD), ATX y balastos electrónicos para lámparas. Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.

• Baja carga de compuerta
• 100% prueba de avalancha