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FDP5800
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 80 A, 0.006 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDP5800
No. Parte Newark61M6291
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.006
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia242
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.006
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
80
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Disipación de Potencia
242
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDP5800
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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