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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDPF2710T
No. Parte Newark78M0952
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds250
Intensidad Drenador Continua Id25
Resistencia de Activación Rds(on)0.0363ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0363
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd62.5W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.9
Diseño de TransistorTO-220F
Disipación de Potencia62.5
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El FDPF2710T es un MOSFET de canal N producido mediante el proceso PowerTrench®. Se ha diseñado para minimizar la resistencia en estado ENCENDIDO mientras se mantiene un rendimiento de conmutación superior. Es adecuado para la rectificación sincrónica.
- Alta velocidad de conmutación
- Baja carga de compuerta
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
250
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0363ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-220F
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
25
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0363
Disipación de Potencia Pd
62.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.9
Disipación de Potencia
62.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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