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FDPF3860T
MOSFET Transistor, N Channel, 20 A, 100 V, 0.0291 ohm, 10 V, 2.5 V RoHS Compliant: Yes
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 10+ | $1.030 |
| 100+ | $0.953 |
| 500+ | $0.899 |
| 1000+ | $0.809 |
| 3000+ | $0.802 |
| 10000+ | $0.801 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDPF3860T
No. Parte Newark95W3169
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id20A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0291ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220F
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia33.8W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0291ohm
Diseño de Transistor
TO-220F
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
20A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
33.8W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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