FDS6681Z

El FDS6681Z es un MOSFET canal P de -30 V PowerTrench® ha sido especialmente diseñado para minimizar la resistencia en el estado y mantener una baja carga de compuerta para un rendimiento de conmutación superior. El último MOSFET de potencia de media tensión son interruptores de potencia optimizados que combinan carga de puerta pequeña (QG), carga de recuperación inversa pequeña (Qrr) y diodo de cuerpo de recuperación inversa suave, que contribuye a una conmutación rápida para la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de CA/CD. Emplea una estructura de puerta blindada que proporciona equilibrio de carga. Al utilizar esta tecnología avanzada, el FOM (figura de mérito (QGxRDS (ON))) de estos dispositivos es 66% más bajo que el de la generación anterior. El rendimiento del diodo del cuerpo blando del nuevo MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito de amortiguamiento o reemplazar el voltaje más alto. El MOSFET necesita un circuito porque puede minimizar los picos de voltaje indeseables en la rectificación síncrona. Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.

• Rango extendido de VGSS (-25V) para aplicaciones de batería
• Nivel de protección HBM ESD de ±3.8kV típico
• Tecnología de trinchera de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (encendido)
• Alta potencia y capacidad de manejo de corriente.