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                      FDS9435A

                      MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 5.3 A, 0.05 ohm, SOIC, Montaje Superficial

                      Fecha y lote

                      ONSEMI FDS9435A
                      La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
                      FabricanteONSEMI
                      No. Parte FabricanteFDS9435A
                      No. Parte Newark38C7185
                      Hoja de datos técnicos

                      Data Sheet

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                      Información del producto

                      FabricanteONSEMI
                      No. Parte FabricanteFDS9435A
                      No. Parte Newark38C7185
                      Hoja de datos técnicos

                      Data Sheet

                      Tipo de CanalCanal P
                      Transistor, PolaridadCanal P
                      Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
                      Intensidad Drenador Continua Id5.3
                      Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.05
                      Resistencia de Activación Rds(on)0.042ohm
                      Montaje de TransistorMontaje Superficial
                      Voltaje de Prueba Rds(on)10
                      Disipación de Potencia Pd2.5W
                      Diseño de TransistorSOIC
                      Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7
                      Disipación de Potencia2.5
                      No. de Pines8Pines
                      Temperatura de Trabajo Máx.175
                      Calificación-
                      Rango de Producto-
                      Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
                      Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)

                      Alternativas para el número de pieza FDS9435A

                      1 producto (s) encontrado (s)

                      Resumen del producto

                      El FDS9435A es un MOSFET canal P de -30 V PowerTrench® ha sido especialmente diseñado para minimizar la resistencia en el estado y mantener una baja carga de compuerta para un rendimiento de conmutación superior. El MOSFET de potencia de media tensión son interruptores de potencia optimizados que combinan carga de puerta pequeña (QG), carga de recuperación inversa pequeña (Qrr) y diodo de cuerpo de recuperación inversa suave, que contribuye a una conmutación rápida para la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de CA/CD. Emplea una estructura de puerta blindada que proporciona equilibrio de carga. Al utilizar esta tecnología avanzada, el FOM (figura de mérito (QGxRDS (ON))) de estos dispositivos es 66% más bajo que el de la generación anterior. El rendimiento del diodo del cuerpo blando del nuevo MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito de amortiguamiento o reemplazar el voltaje más alto. El MOSFET necesita un circuito porque puede minimizar los picos de voltaje indeseables en la rectificación síncrona. Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.

                      • Tecnología de trinchera de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (encendido)
                      • Alta potencia y capacidad de manejo de corriente.

                      Especificaciones técnicas

                      Tipo de Canal

                      Canal P

                      Voltaje de Drenaje-Fuente Vds

                      30

                      Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente

                      0.05

                      Montaje de Transistor

                      Montaje Superficial

                      Disipación de Potencia Pd

                      2.5W

                      Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente

                      1.7

                      No. de Pines

                      8Pines

                      Calificación

                      -

                      Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

                      MSL 1 - Unlimited

                      Transistor, Polaridad

                      Canal P

                      Intensidad Drenador Continua Id

                      5.3

                      Resistencia de Activación Rds(on)

                      0.042ohm

                      Voltaje de Prueba Rds(on)

                      10

                      Diseño de Transistor

                      SOIC

                      Disipación de Potencia

                      2.5

                      Temperatura de Trabajo Máx.

                      175

                      Rango de Producto

                      -

                      Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)

                      No SVHC (27-Jun-2024)

                      Documentos técnicos (2)

                      Product Change Notice EN

                      Technical Data Sheet EN

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                      4 productos encontrados

                      Legislación y medioambiente

                      US ECCN:EAR99
                      EU ECCN:Unknown
                      Conforme a RoHS:Sí

                      RoHS

                      Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí

                      RoHS

                      Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
                      Descargue el certificado de cumplimiento del producto

                      Certificado de conformidad del producto

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