Imprimir página
FDV301N
MOSFET de Potencia, Canal N, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 17 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 15000+ | $0.042 |
| 30000+ | $0.041 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 15000
Múltiple: 15000
$630.00
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDV301N
No. Parte Newark67R2086
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds25
Intensidad Drenador Continua Id220
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4
Resistencia de Activación Rds(on)3.1ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd350mW
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente850
Disipación de Potencia350
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
The FDV301N is a 25V N-channel Digital Field Effect Transistor produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. It has been designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors. Since bias resistors are not required, this one N-channel FET can replace several different digital transistors, with different bias resistor values. This product is general usage and suitable for many different applications.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits (VGS(th)<lt/>1.06V)
- Gate-source Zener for ESD ruggedness (<gt/>6kV human body model)
- Replace multiple NPN digital transistors with one DMOS FET
- 8V Gate source voltage (VGSS)
- 357°C/W Thermal resistance, junction to ambient
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
25
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
350mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
850
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
220
Resistencia de Activación Rds(on)
3.1ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
350
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDV301N
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
7 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto