FDV303N
MOSFET de Potencia, Canal N, 25 V, 680 mA, 0.33 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.071 |
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| 500+ | $0.065 |
| 1000+ | $0.065 |
| 2500+ | $0.065 |
| 5000+ | $0.060 |
Información del producto
Resumen del producto
El FDV303N es un FET digital de modo de mejora de nivel lógico de canal N de montaje en superficie en paquete SOT-23. Este dispositivo cuenta con tecnología DMOS de alta densidad celular, que se ha diseñado para minimizar la resistencia en el estado y mantener las condiciones de manejo de puerta baja. Tiene una excelente resistencia en el estado incluso con voltajes de activación de compuerta tan bajos como 2.5V y está diseñado para su aplicación en circuitos de batería usando una celda de litio o tres de cadmio o NHM, inversores, conversión de CD/CD discreta en miniatura de alta eficiencia en dispositivos electrónicos como teléfonos celulares y buscapersonas.
- Voltaje drenaje-fuente (Vds) de 25V
- Voltaje de compuerta a fuente de 8V
- Corriente continua de drenaje (Id) de 680mA
- Disipación de potencia (Pd) de 350mW
- Baja resistencia al estado de 330mohm a Vgs 4.5V
- Rango de temperatura de operación de -55°C a 150°C
Especificaciones técnicas
Canal N
25V
0.33ohm
Montaje Superficial
350mW
800mV
3Pines
-
MSL 1 - Unlimited
Canal N
680mA
0.33ohm
4.5V
SOT-23
350mW
150°C
-
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza FDV303N
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