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FJP13009TU
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 400 V, 12 A, 100 W, TO-220, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFJP13009TU
No. Parte Newark84H4646
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo400V
Voltaje Máx. Colector a Emisor400
Corriente del Colector Continua12
Disipación de Potencia Pd100W
Disipación de Potencia100
Corriente de Colector DC12A
Ganancia de Corriente DC hFE8hFE
Montaje de TransistorAgujero Pasante
No. de Pines3Pines
Diseño de TransistorTO-220
Frecuencia de Transición4
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.8
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
400
Disipación de Potencia Pd
100W
Corriente de Colector DC
12A
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Diseño de Transistor
TO-220
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
8
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
400V
Corriente del Colector Continua
12
Disipación de Potencia
100
Ganancia de Corriente DC hFE
8hFE
No. de Pines
3Pines
Frecuencia de Transición
4
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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