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FQB19N20LTM
MOSFET Transistor, N Channel, 21 A, 200 V, 0.11 ohm, 10 V, 2 V RoHS Compliant: Yes
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.220 |
| 10+ | $1.870 |
| 25+ | $1.730 |
| 50+ | $1.580 |
| 100+ | $1.430 |
| 250+ | $1.300 |
| 500+ | $1.160 |
| 1600+ | $1.160 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQB19N20LTM
No. Parte Newark31Y1511
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200V
Intensidad Drenador Continua Id21A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.14ohm
Diseño de TransistorTO-263AB
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia3.13W
No. de Pines2Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-263AB
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
No. de Pines
2Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
21A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.14ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
3.13W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
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1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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