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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQD3P50TM
No. Parte Newark84Y9966
Rango de ProductoQFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500
Intensidad Drenador Continua Id2.1
Resistencia de Activación Rds(on)3.9ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3.9
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)-10
Disipación de Potencia Pd2.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente-5
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoQFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
Advertencias
La demanda del mercado de este producto ha provocado una ampliación de los plazos de entrega. Las fechas de entrega pueden variar. Producto exento de descuentos.
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500
Resistencia de Activación Rds(on)
3.9ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
-10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
-5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
QFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
2.1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3.9
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
2.5W
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FQD3P50TM
1 producto (s) encontrado (s)
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3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto