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IRFM120ATF
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 2.3 A, 0.2 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteIRFM120ATF
No. Parte Newark31Y2065
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id2.3A
Resistencia de Activación Rds(on)0.2ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.2ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd2.4W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia2.4W
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.2ohm
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
2.3A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.2ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
2.4W
Disipación de Potencia
2.4W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (4)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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Certificado de conformidad del producto
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