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J112_D74Z
Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, -35 V, -5 V, TO-92, 3 Pines, 150 °C
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 9 semana(s)
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteJ112_D74Z
No. Parte Newark82C6170
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Ruptura Vbr-35V
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente-35V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula5mA
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero-
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-5V
Diseño de TransistorTO-92
Tipo de TransistorJFET
No. de Pines3 Pines
Tipo de CanalCanal N
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2019)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Ruptura Vbr
-35V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
5mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-5V
Tipo de Transistor
JFET
Tipo de Canal
Canal N
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2019)
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
-35V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
-
Diseño de Transistor
TO-92
No. de Pines
3 Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza J112_D74Z
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2019)
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Certificado de conformidad del producto