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J175_D26Z
Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, 30 V, -60 mA, 6 V, TO-92, 3 Pines, 150 °C
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 8 semana(s)
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteJ175_D26Z
No. Parte Newark82C6181
Hoja de datos técnicos
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente30V
Voltaje de Ruptura Vbr30V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula-7mA
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero-60mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta6V
Diseño de TransistorTO-92
Tipo de TransistorJFET
Núm. de Pines3 Pines
Tipo de CanalCanal P
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2019)
Resumen del producto
El J175_D26Z es un conmutador de canal P diseñado para circuitos de muestreo y retención de conmutación analógica de bajo nivel y amplificadores estabilizados con chopper. Proviene del proceso 88.
Aplicaciones
Industrial
Especificaciones técnicas
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
30V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
-7mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
6V
Tipo de Transistor
JFET
Tipo de Canal
Canal P
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2019)
Voltaje de Ruptura Vbr
30V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
-60mA
Diseño de Transistor
TO-92
Núm. de Pines
3 Pines
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2019)
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