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MJB44H11T4G.
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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| 3000+ | $0.795 |
| 6000+ | $0.727 |
| 12000+ | $0.658 |
| 18000+ | $0.635 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJB44H11T4G.
No. Parte Newark27AC8947
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo80V
Voltaje Máx. Colector a Emisor80
Corriente del Colector Continua10
Disipación de Potencia50
Disipación de Potencia Pd50W
Corriente de Colector DC10A
Ganancia de Corriente DC hFE40hFE
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición50
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.40
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
80
Disipación de Potencia
50
Corriente de Colector DC
10A
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
40
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
80V
Corriente del Colector Continua
10
Disipación de Potencia Pd
50W
Ganancia de Corriente DC hFE
40hFE
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Frecuencia de Transición
50
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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