Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
574 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $0.614 |
10+ | $0.614 |
150+ | $0.519 |
525+ | $0.519 |
1050+ | $0.482 |
2550+ | $0.438 |
10050+ | $0.421 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.61
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD122G
No. Parte Newark42K1269
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor100V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo100V
Frecuencia de Transición-
Disipación de Potencia Pd1.75W
Corriente de Colector Continua8A
Disipación de Potencia1.75W
Corriente de Colector DC8A
Encapsulado de Transistor RFTO-252 (DPAK)
Núm. de Contactos3Pines
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Ganancia de Corriente DC hFE12hFE
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.12hFE
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El MJD122G es un transistor de potencia Darlington complementario bipolar NPN de silicio de 100V diseñado para amplificadores de propósito general y aplicaciones de conmutación de baja velocidad. El transistor Thins es un reemplazo de montaje en superficie para la serie 2N6040-2N6045, la serie TIP120-TIP122 y la serie TIP125-TIP127, y también tiene una construcción monolítica con una resistencia de derivación de emisor de base incorporada.
- Punta formada para aplicaciones montaje en superficie en mangas de plástico
- Alta ganancia de Corriente de CD
- El epoxi cumple con la clasificación UL 94V-0
- Calificado AEC-Q101
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
100V
Disipación de Potencia Pd
1.75W
Disipación de Potencia
1.75W
Encapsulado de Transistor RF
TO-252 (DPAK)
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
12hFE
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje Máx. Colector a Emisor
100V
Frecuencia de Transición
-
Corriente de Colector Continua
8A
Corriente de Colector DC
8A
Núm. de Contactos
3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE
12hFE
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza MJD122G
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto