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MJD210G
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 25 V, 65 MHz, 1.4 W, 5 A, 3 RoHS Compliant: Yes
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD210G
No. Parte Newark58M9089
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor25V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Corriente del Colector Continua5A
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia1.4W
Corriente de Colector DC0
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Ganancia de Corriente DC hFE0
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición65MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.3hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Disipación de Potencia Pd
0
Corriente de Colector DC
0
Ganancia de Corriente DC hFE
0
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
3hFE
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Voltaje Máx. Colector a Emisor
25V
Corriente del Colector Continua
5A
Disipación de Potencia
1.4W
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Montaje de Transistor
Surface Mount
Frecuencia de Transición
65MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza MJD210G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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