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MJD210G
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 25 V, 65 MHz, 1.4 W, 5 A, 3 RoHS Compliant: Yes
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD210G
No. Parte Newark58M9089
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor25V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Corriente del Colector Continua5A
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia1.4W
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Corriente de Colector DC0
Ganancia de Corriente DC hFE0
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición65MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.3hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Ganancia de Corriente DC hFE
0
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
3hFE
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Voltaje Máx. Colector a Emisor
25V
Corriente del Colector Continua
5A
Disipación de Potencia
1.4W
Corriente de Colector DC
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Frecuencia de Transición
65MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza MJD210G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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