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MJD45H11G
Bipolar (BJT) Single Transistor, AUDIO, PNP, 80 V, 90 MHz, 1.75 W, 8 A, 60 RoHS Compliant: Yes
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD45H11G
No. Parte Newark38K5600
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor80V
Corriente de Colector Continua8A
Disipación de Potencia20W
Disipación de Potencia Pd0
Corriente de Colector DC0
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Ganancia de Corriente DC hFE0
Montaje de TransistorSurface Mount
Núm. de Contactos3Pines
Frecuencia de Transición90MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.60hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
80V
Disipación de Potencia
20W
Corriente de Colector DC
0
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Núm. de Contactos
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
60hFE
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente de Colector Continua
8A
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Montaje de Transistor
Surface Mount
Frecuencia de Transición
90MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (4)
Alternativas para el número de pieza MJD45H11G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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