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MJD45H11G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 1+ | $1.440 |
| 10+ | $1.110 |
| 150+ | $0.516 |
| 525+ | $0.494 |
| 1050+ | $0.472 |
| 2550+ | $0.429 |
| 10050+ | $0.424 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD45H11G
No. Parte Newark38K5600
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor80
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Corriente del Colector Continua8
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia20
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Corriente de Colector DC0
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Ganancia de Corriente DC hFE0
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición90
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.40
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
40
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje Máx. Colector a Emisor
80
Corriente del Colector Continua
8
Disipación de Potencia
20
Corriente de Colector DC
0
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Frecuencia de Transición
90
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (4)
Alternativas para el número de pieza MJD45H11G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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