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MJD50G
Bipolar (BJT) Single Transistor, GENERAL PURPOSE, NPN, 400 V, 10 MHz, 1.56 W, 1 A, 10 RoHS Compliant: Yes
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD50G
No. Parte Newark38K5601
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor400V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Corriente del Colector Continua1A
Disipación de Potencia1.56W
Disipación de Potencia Pd0
Corriente de Colector DC0
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Ganancia de Corriente DC hFE0
No. de Pines4Pines
Frecuencia de Transición10MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.30hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Disipación de Potencia
1.56W
Corriente de Colector DC
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
No. de Pines
4Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
30hFE
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Voltaje Máx. Colector a Emisor
400V
Corriente del Colector Continua
1A
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Frecuencia de Transición
10MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (4)
Alternativas para el número de pieza MJD50G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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