MMBF170
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.263 |
| 25+ | $0.164 |
| 50+ | $0.122 |
| 100+ | $0.080 |
| 250+ | $0.078 |
| 500+ | $0.077 |
Información del producto
Resumen del producto
El MMBF170 es un transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal N de montaje en superficie en paquete SOT-23. Este dispositivo cuenta con tecnología DMOS de alta densidad celular que se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en el estado y proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una alta fuerza de energía de avalancha. Este dispositivo es adecuado para aplicaciones de bajo voltaje y baja corriente, como control de servomotores pequeños, controladores de compuerta MOSFET de potencia y otras aplicaciones de conmutación.
- Diseño de celda de alta densidad para bajo Rds(ON)
- Interruptor de señal pequeña controlado por voltaje
- Resistente y confiable
- Alta capacidad a corriente de saturación
- Voltaje drenaje-fuente (Vds) de 60V
- Voltaje de compuerta a fuente de ± 20V
- Corriente continua de drenaje (Id) de 500mA
- Disipación de potencia (Pd) de 300mW
- Baja resistencia de estado encenddo de 1.2ohm a Vgs 10V
- Rango de temperatura de operación de -55°C a 150°C
Especificaciones técnicas
Canal N
60V
5ohm
Montaje Superficial
300mW
SOT-23
3Pines
-
MSL 1 - Unlimited
Canal N
500mA
5ohm
10V
2.1V
300mW
150°C
-
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MMBF170
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