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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBF170LT1G
No. Parte Newark88H4781
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id500
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5
Resistencia de Activación Rds(on)5ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd225mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Diseño de TransistorSOT-23
Disipación de Potencia225
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Alternativas para el número de pieza MMBF170LT1G
2 productos encontrados
Resumen del producto
El MMBF170LT1G es un MOSFET de potencia de canal N con voltaje de fuente de drenaje a 60 VCD y corriente de drenaje a 500 mA.
- Calificado AEC-Q101
- Capaz de PPAP
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOT-23
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
500
Resistencia de Activación Rds(on)
5ohm
Disipación de Potencia Pd
225mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
225
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto