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MMBF4392LT1G
Transistor JFET, 30 V, 75 mA, -5 V, SOT-23, 3 Pines, 150 °C
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBF4392LT1G
No. Parte Newark58M9131
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Ruptura Vbr0
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente30V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula0
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero75mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-5V
Diseño de TransistorSOT-23
Núm. de Pines3 Pines
Tipo de Transistor0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Ruptura Vbr
0
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
0
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-5V
Núm. de Pines
3 Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
30V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
75mA
Diseño de Transistor
SOT-23
Tipo de Transistor
0
Tipo de Canal
Canal N
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
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6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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